-
Mga Piyesa nga Seramik para sa Kagamitan sa Semiconductor Probe
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
Tigdala sa Kagamitan sa Semiconductor sa Seramik nga Plato
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
Mga Kagamitan sa Semiconductor nga Seramik nga mga Piyesa
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
Singsing nga Selyo nga Seramik nga Alumina nga Taas ang Kaputli para sa Pagsilyo sa Chamber nga Taas ang Temperatura
Ang ceramic seal ring sa St.Cera gidisenyo isip alternatibo sa polymer O-rings sa grabeng mga palibot diin ang mga elastomer madaot. Gihimo gikan sa 99.8% high-purity alumina (Al₂O₃), kini nga rigid seal ring gigamit sa mga static sealing application — kasagaran ipares sa humok nga metal o graphite gasket — aron makahatag og kasaligan nga vacuum o gas containment sa temperatura nga hangtod sa 800°C ug sa agresibo nga plasma o kemikal nga mga palibot. Ang materyal nagtanyag og zero outgassing, taas nga compressive strength (nagpaila nga flexural strength 361 MPa), ug chemical inertness (makasukol sa mga halogen, acid, ug alkali gawas sa HF). Ang precision-lapped sealing surfaces (flatness ≤5 μm, surface roughness Ra ≤0.2 μm) nagsiguro sa leak-tight contact sa mating metal o ceramic components.
-
Taas-Kaputli nga Alumina Chamber Focus Ring para sa Plasma Etch ug CVD Systems
Ang chamber focus ring sa St.Cera usa ka kritikal nga process kit component nga gigamit sa plasma etch, CVD, ug PVD semiconductor equipment. Gihimo gikan sa 99.8% high-purity alumina (Al₂O₃), ang singsing naglibot sa wafer edge aron limitahan ang plasma ug ma-optimize ang ion angular distribution, sa ingon nagpauswag sa etch uniformity sa tibuok wafer surface. Ang materyal nagtanyag og talagsaong plasma resistance, taas nga dielectric strength (15×10⁶ V/m), ug thermal stability hangtod sa 1600°C, nga nagsiguro sa dugay nga kasaligan sa agresibo nga fluorine- o chlorine-based plasma environments. Ang precision-ground ID/OD ug flatness (≤10 μm) nagtugot sa tukma nga wafer edge positioning, nga nagpamenos sa mga depekto sa edge ug particle generation.
-
Singsing nga Seramik nga Alumina nga Taas ang Kaputli para sa mga Silid sa Proseso sa CVD / PVD
Ang ceramic ring sa St.Cera espesipikong gidisenyo para gamiton sa mga CVD (Chemical Vapor Deposition) ug PVD (Physical Vapor Deposition) process chambers. Gihimo gikan sa 99.8% high-purity alumina (Al₂O₃), kini nga singsing nagsilbing chamber liner, focus ring, o process kit component aron mapugngan ang plasma ug mapanalipdan ang mga bungbong sa chamber gikan sa erosion. Ang materyal nagtanyag og maayo kaayong plasma resistance, taas nga dielectric strength (15×10⁶ V/m), ug thermal stability hangtod sa 1600°C, nga nagsiguro sa taas nga kinabuhi sa agresibo nga fluorine-based plasma environments. Ang tukma nga dimensional tolerances (±0.05 mm sa ID/OD) ug flatness (≤10 μm) nagtugot sa makanunayon nga wafer edge positioning, nga nagpauswag sa deposition uniformity ug nagpamenos sa particle generation.
-
Bernoulli Ceramic End Effector — Non-Contact Wafer Handling para sa Nipis ug Mabuak nga mga Wafer
Ang Bernoulli ceramic end effector sa St.Cera naggamit og aerodynamic lift aron makontrol ang mga wafer nga walay pisikal nga kontak. Gihimo gikan sa taas nga kaputli nga 99.8% alumina (Al₂O₃) o silicon carbide (SiC), kini adunay mga precision-machined nozzle nga mopagawas og pressurized gas aron makahimo og nipis nga air film tali sa end effector ug sa wafer. Kini nga non-contact principle nagwagtang sa kontaminasyon sa likod, pagkabuak sa ngilit, ug kadaot sa nawong, nga naghimo niini nga sulundon alang sa nipis (≤100 μm), mahuyang, o liko nga mga wafer. Ang ceramic substrate naghatag og taas nga flexural strength (361 MPa para sa Al₂O₃; hangtod sa 550–600 MPa para sa SiC), ubos nga masa, ug maayo kaayo nga dimensional stability, nga nagsiguro sa balik-balik nga pagposisyon sa mga high-speed wafer transfer robot.
-
Mga Bahin sa Seramik nga Alumina nga Taas ang Kaputli para sa mga Aplikasyon sa Semiconductor ug Industriyal
Ang St.Cera naggama og mga piyesa nga seramiko nga giproseso gamit ang precision-machined alumina (Al₂O₃) sumala sa mga espesipikasyon sa kustomer. Gamit ang 99.8% nga high-purity alumina, kini nga mga sangkap naghatag og maayo kaayong flexural strength (361 MPa), taas nga katig-a (16 GPa), ug talagsaong dielectric strength (15×10⁶ V/m). Gidisenyo alang sa mga kagamitan sa semiconductor, wear-resistant assemblies, electrical insulators, ug high-temperature fixtures, ang materyal nagtanyag og hapit zero water absorption (0%) ug thermal expansion coefficient nga 7.2×10⁻⁶/℃, nga nagsiguro sa dimensional stability ubos sa grabeng mga kondisyon.
-
Porous Ceramic Vacuum Chuck para sa Warped Wafer Handling
Ang porous ceramic chuck sa St.Cera gihimo gikan sa high-purity alumina nga adunay uniporme nga open porosity nga 30–45% ug mga pore size gikan sa 10 ngadto sa 100 μm. Dili sama sa naandan nga grooved chucks, ang porous surface naghatag og distributed vacuum sa tibuok wafer backside, nga epektibong nagkupot sa warped, thin, o singulated wafers nga walay edge lift-off o breakage. Ang malumo nga vacuum (ma-adjust pinaagi sa restrictor) makapugong usab sa backside marking.
-
Alumina-Based Porous Ceramic Vacuum Chuck para sa Nipis nga Pagdumala sa Wafer
Ang alumina-based porous chuck sa St.Cera gihimo gikan sa 99.6% high-purity Al₂O₃ nga adunay kontroladong open porosity nga 30–45% ug parehas nga pore size gikan sa 10 ngadto sa 50 μm. Dili sama sa grooved chucks, ang porous surface naghatag og distributed vacuum sa tibuok wafer backside, nga nagwagtang sa edge marking ug nagtugot sa hinay nga pagkupot sa ultra-thin (≤100 μm) o warped wafers. Ang materyal nagtanyag og flexural strength ≥250 MPa ug thermal stability hangtod sa 400°C sa hangin.
-
Plato sa Pag-apod-apod sa Alumina Gas para sa CVD/PVD Showerhead
Ang gas distribution plate (showerhead) sa St.Cera gihimo gamit ang precision-machined nga 99.8% alumina ceramic nga taas og kaputli. Kini adunay mga micro-hole (diametro nga 0.3–1.5 mm) nga nagsiguro sa parehas nga pag-agos sa gas tabok sa wafer surface atol sa mga proseso sa CVD, PVD, o ALD. Ang taas nga dielectric strength sa plate (>15×10⁶ V/m) ug plasma resistance naghimo niini nga importante alang sa semiconductor thin-film deposition.
-
Seramik nga Supporting Pin para sa mga Fixture sa Proseso sa Semiconductor
Ang mga ceramic supporting pin sa St.Cera (nailhan usab nga lift pin o support pin) gigamit sa mga semiconductor process chamber aron ipataas ang mga wafer o substrate atol sa pagdumala, pagpainit, o pagpabugnaw. Gihimo gikan sa 99.8% alumina o silicon nitride, kini nga mga pin nagtanyag og taas nga compressive strength, thermal stability, ug chemical resistance. Ang hemispherical o flat tip design makapugong sa wafer scratching.
