panid_banner

Singsing nga Seramik nga Alumina nga Taas ang Kaputli para sa mga Silid sa Proseso sa CVD / PVD

Singsing nga Seramik nga Alumina nga Taas ang Kaputli para sa mga Silid sa Proseso sa CVD / PVD

Mubo nga Deskripsyon:

Ang ceramic ring sa St.Cera espesipikong gidisenyo para gamiton sa mga CVD (Chemical Vapor Deposition) ug PVD (Physical Vapor Deposition) process chambers. Gihimo gikan sa 99.8% high-purity alumina (Al₂O₃), kini nga singsing nagsilbing chamber liner, focus ring, o process kit component aron mapugngan ang plasma ug mapanalipdan ang mga bungbong sa chamber gikan sa erosion. Ang materyal nagtanyag og maayo kaayong plasma resistance, taas nga dielectric strength (15×10⁶ V/m), ug thermal stability hangtod sa 1600°C, nga nagsiguro sa taas nga kinabuhi sa agresibo nga fluorine-based plasma environments. Ang tukma nga dimensional tolerances (±0.05 mm sa ID/OD) ug flatness (≤10 μm) nagtugot sa makanunayon nga wafer edge positioning, nga nagpauswag sa deposition uniformity ug nagpamenos sa particle generation.


Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Ang ceramic ring sa St.Cera espesipikong gidisenyo para gamiton sa mga CVD (Chemical Vapor Deposition) ug PVD (Physical Vapor Deposition) process chambers. Gihimo gikan sa 99.8% high-purity alumina (Al₂O₃), kini nga singsing nagsilbing chamber liner, focus ring, o process kit component aron mapugngan ang plasma ug mapanalipdan ang mga bungbong sa chamber gikan sa erosion. Ang materyal nagtanyag og maayo kaayong plasma resistance, taas nga dielectric strength (15×10⁶ V/m), ug thermal stability hangtod sa 1600°C, nga nagsiguro sa taas nga kinabuhi sa agresibo nga fluorine-based plasma environments. Ang tukma nga dimensional tolerances (±0.05 mm sa ID/OD) ug flatness (≤10 μm) nagtugot sa makanunayon nga wafer edge positioning, nga nagpauswag sa deposition uniformity ug nagpamenos sa particle generation.

 

Mga Espesipikasyon (base sa 99.8% Al₂O₃):

Kabtangan Bili
Materyal 99.8% Alumina (Garing)
Densidad 3.93 g/cm³
Pagsuhop sa Tubig 0%
Kusog sa Pag-flex 361 MPa
Kalig-on sa Bali 3–4 MPa·m¹/²
Katig-a sa Vickers 16 GPa
Modulus ni Young 380 GPa
Konduktibidad sa Init 32 W/m·k
Pagpalapad sa Init (25–1000°C) 7.2×10⁻⁶/℃
Kusog sa Dielektriko 15×10⁶ V/m
Piho nga Pagsukol >10¹⁴ Ω·cm
Pinakataas nga Temperatura sa Pag-operate 1600°C

 

Mga Aplikasyon:

  • · Mga singsing sa pokus sa CVD chamber ug mga singsing sa ngilit
  • · Mga singsing sa taming sa lawak sa PVD ug mga singsing sa pang-ipit
  • · Pag-etch sa mga chamber liner ug mga cover ring
  • · Mga singsing nga plasma confinement sa mga dielectric etch system

 

Proseso sa Paggama:

Isostatic pressing → green machining → sintering sa 1600°C → CNC ID/OD grinding → surface lapping → ultrasonic cleaning → 100% CMM inspection. Ang ultra-smooth surface finish (Ra ≤0.4 μm) makapakunhod sa particle adhesion.

 

Pagkontrol sa Kalidad:

  • · 100% nga pagsusi sa dimensyon (ID, OD, gibag-on, pagkapatag)
  • · Inspeksyon sa pagsulod sa tina para sa mga gagmay nga liki sa ibabaw
  • · Pagsulay sa kusog sa dielectric sumala sa ASTM D149
  • · Walay makita nga pagkausab sa kolor o porosity ubos sa 20× microscope

 

Mga Bentaha kon itandi sa Metal o Quartz Rings:

  • · 5–10× mas taas nga kinabuhi kay sa mga singsing nga aluminyo sa plasma nga fluorine
  • · Walay kontaminasyon sa metal sa nipis nga mga pelikula
  • · Mas taas nga resistensya sa plasma kaysa quartz (walay mga lungag sa erosyon)
  • · Nagmintinar sa electrical insulation nga >10¹⁴ Ω·cm bisan human sa dugay nga paggamit

 

Alternatibong Materyal — Silicon Nitride (SiN):

Alang sa mga aplikasyon nga nanginahanglan ug mas taas nga fracture toughness (6.2 MPa·m¹/²) ug mas maayong thermal shock resistance (expansion coefficient 3.2×10⁻⁶/℃), adunay mga Si₃N₄ ring nga magamit. Bisan pa, ang alumina mas barato alang sa kadaghanan sa mga aplikasyon sa CVD/PVD. Palihug ipiho ang gusto nga materyal kung mag-order.

 

Pag-customize:

  • · Mga lungag nga agi sa mga hagdanan, mga profile nga may hagdanan, o mga counterbores para sa pag-mount
  • · Ang nawong nga giputos sa Y₂O₃ para sa gipausbaw nga resistensya sa plasma (opsyonal)
  • · Pag-ukit gamit ang laser sa numero sa bahin / kodigo sa lote

 

Mubo nga sulat:Ang datos sa ibabaw hugot nga nagsunod sa gihatag nga Al₂O₃ property table. Para sa mga singsing nga Si₃N₄, tan-awa ang gihatag nga lahi nga Si₃N₄ datasheet.


  • Miagi:
  • Sunod: